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こちらに掲載の機器は既に製造を終了しているものを含みます。
個々の詳細につきましては弊社営業までお問い合わせ下さい。
レーザ関連機器
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レーザ励起用高圧電源 |
ELP-2401 |
2.4KV 10mA
定電圧、定電流電源 |
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〃 |
ELP-2403 |
2.4KV 30mA
定電圧、定電流電源 |
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〃 |
ELP-3003 |
3.0KV 30mA
定電圧、定電流電源 |
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〃 |
ELP-3010 |
3.0KV 100mA
定電圧、定電流電源 |
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半導体レーザ用電源
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ELS-20 |
レーザダイオード電源と ロックイン
アンプを含む制御系 |
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〃 |
ELS-12
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レーザダイオード電源と 変調，掃引
回路 |
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He-Neレーザ制御装置 |
ELS-1500A |
メタン吸収線にレーザ波長をロックさ
せる制御系 |
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オフセット・ロック制御装置 |
ELS-1100A |
メタン吸収線から 5MHz シフトした波
長を作る制御系 |
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半導体レーザ制御装置 |
ELS-504P |
レーザダイオード電源と 制御系 |
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よう素安定化レーザ制御
装置 |
ELS-089 |
PZT ドライバ、ロックインアンプを含
む制御系 |
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〃 |
ELS-1088
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2.5KV励起電源とPZT ドライバ、等を
含む
制御系 |
プラズマ関連機器
マイクロ波関連機器
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クラストロン用電源 |
EKS-7600 |
ミリ波クライストロン用万能型電源 |
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クライストロン電源用
変調器 |
EMU-5A |
7600型用専用変調器（プラグイン） |
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クラストロン用電源 |
EKS-2440 |
ミリ波クライストロン専用電源 |
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ガンオシレータ用電源 |
EGS-7C |
汎用型ガンオシレータ駆動電源 |
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〃 |
EGS-7E |
高電力ガンオシレータ駆動電源 |
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自動周波数制御装置 |
E-104SA |
共振器ロック型AFC(クライストロン用）
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〃 |
E-104SP |
共振器ロック型AFC
(ガンオシレータ用） |
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〃 |
EAG-107 |
104SP型にガンオシレータ電源を搭載 |
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１００ＫＨｚ磁場変調器 |
EMA-100 |
試料共振器の内部変調コイル用 |
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分子分光用矩形波電界
発生装置 |
ESG-1000 |
1KVの矩形波をシュタルクセルに供給 |
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分子分光用正弦波電界
発生装置 |
ESG-500SG |
500Vp-pの正弦波をシュタルクセルに
供給 |
レーザ関連機器
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レーザ励起用電源
ELP-2403 |
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電流 |
電圧 |
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ELP-2401 |
0〜10mA |
〜2400V |
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ELP-2403 |
0〜30mA |
〜2400V |
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ELP-3003 |
0〜30mA |
〜3000V |
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ELP-3010 |
0〜100mA |
〜3000V |
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・定電圧、定電流制御方式
･外部入力電圧で電流制御可能
・過電流保護回路付
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高圧ガスレーザを高い安定度で発振させます。 |
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半導体レーザ用電源
ELS-20 |
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レーザダイオード駆動電源、ＰＺＴドライバ、 ホトデテクタ入力回路、ロックインアンプ、掃引回路
制御系１式 |
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半導体レーザ用電源
ELS-12 |
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レーザダイオード駆動電源、ＰＺＴドライバ、 ホトデテクタ入力回路、掃引回路
ロックインアンプを除く制御系１式 |
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He-Neレーザ制御装置
ELS-1500A |
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励起電源 2.5KV
10mA |
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PZTドライバ
0〜700V |
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ロックインアンプ 3Ｆ0
2重積分 |
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変調周波数
2.5KHz |
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検出方式 3次微分検出方式 |
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掃引回路
自動掃引機能付 |
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メタンの吸収線をサーチして、吸収曲線の中心に波長を制御します。 |
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オフセットロック制御装置
ELS-1100A |
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励起電源 2.5KV
10mA |
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PZTドライバ 0〜700V |
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周波数制御範囲 2〜10MHz |
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フェーズロック回路 内蔵 |
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基準周波数 5MHz |
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内部基準安定度 1×10-6 |
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スレーブレーザとして5MHzシフトした波長を制御します。 |
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半導体レーザ制御装置
ELS-504P |
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変調周波数 2KHz
100KHz 切替 |
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ロックインアンプ
3Ｆ0 2重積分 |
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PZTドライバ
0〜150V |
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検出方式 3次微分検出方式 |
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掃引回路 自動掃引機能付 |
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励起電源 ダイオードレーザ用電源内臓 |
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半導体レーザを用いたレーザ波長制御 |
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よう素安定化レーザ制御装置
ELS-089 |
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PZTドライバ
0〜150V |
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ロックインアンプ
3Ｆ0 2重積分 |
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変調周波数
2.5KHz |
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よう素安定化レーザ制御装置
ELS-1088 |
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PZTドライバ
0〜700V |
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ロックインアンプ
3Ｆ0 2重積分 |
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変調周波数
2.5KHz |
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高圧ガスレーザ励起用電源内蔵 |
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温度制御回路内蔵 |
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プラズマ関連機器
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プラズマ励起用電源
ENP-1402B |
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チャンネル出力±700V
100mA |
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増幅周波数10〜30KHz |
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駆動波形:正弦波 |
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短絡保護回路内臓 |
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２４極対応型 |
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プラズマ励起用電源
ENP-1502B |
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チャンネル出力±750V
2A |
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駆動波形:矩形波 |
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立上り、下がり時間≒50μS |
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駆動波形発生器内臓 |
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短絡保護回路内臓 |
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１２極対応型 |
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マイクロ波関連機器
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クライストロン用電源
ＥＫＳ−７６００ |
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CAV.
電圧 〜3000V
40mA |
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REP.
電圧
〜800V |
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GRID.電圧
〜500V |
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安定度.
1×10-4 |
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過電流保護回路付 |
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ミリ波クライストロンに適合 |
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部品調達が困難な為製造できません。 |
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クライストロン電源用変調器 ＥＭＵ−５Ａ |
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正弦波・矩形波・鋸歯状波 |
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周波数
200〜2KHz |
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出 力
0〜100Vp-p |
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EKS-7600型に挿入可 |
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クライストロン用電源 ＥＫＳ−２４４０ |
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CAV.
電圧 〜2400V
40mA |
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REP.
電圧
〜500V |
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GRID.
電圧 〜500V |
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安定度
1×10-4 |
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過電流保護回路付 |
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ミリ波クライストロンに適合 |
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ガンオシレータ用電源 ＥＧＳ−7Ｃ |
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出力電圧.
1〜15V |
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出力電流.
0.1〜1A |
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安定度.
±1mV/AC±10% |
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電圧リミッタ回路付 |
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X-
BAND,K-BANDの発振に適合 |
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ガンオシレータ用電源 ＥＧＳ−７Ｅ |
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出力電圧.
1〜15V |
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出力電流.
0.1〜２A |
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安定度.
±1mV/AC±10% |
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電圧リミッタ回路付 |
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X-
BAND,K-BANDの発振に適合 |
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高電力型のマイクロ波ガンオシレータ用です。 |
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自動周波数制御装置
E-104SA |
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変調周波数
9.7KHz |
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入力回路
μ波検波器に整合 |
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ロックインアンプ内臓 |
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耐電圧
±10V |
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出力電圧
5KV |
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制御出力
クライストロン REP.電極に重畳 |
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試料空胴共振器のＱ曲線にクライストロンの発振周波数を追尾させ安定化します。 |
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自動周波数制御装置 E-104SP |
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変調周波数
9.7KHz |
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入力回路
μ波検波器に整合 |
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ロックインアンプ 内臓 |
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バラクタ制御電圧 0〜30V |
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バイアス電圧 手動設定 |
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モード観測 電源同期鋸歯状波 |
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制御出力
ガン発振器変調用バラクタに重畳 |
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試料空胴共振器のＱ曲線にガン発振器の発振周波数を追尾させ安定化します。 |
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自動周波数制御装置 EAG-107 |
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変調周波数
9.7KHz |
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入力回路
μ波検波器に整合 |
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ロックインアンプ 内臓 |
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バラクタ制御電圧 0〜30V |
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バイアス電圧 手動設定 |
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モード観測
電源同期鋸歯状波 |
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制御出力
ガン発振器変調用バラクタに重畳 |
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ガン発振器用電源 EGS-7Cを内臓 |
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ガン発振器用電源内臓で試料空胴共振器のＱ曲線にガン発振器の発振周波数を追尾させ安定化します。 |
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１００ＫＨｚ磁場変調器
EMA-100 |
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変調周波数 100KHz |
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入力レベル
1Vp-pmax |
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出力インピーダンス ≒0.3Ω |
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出力電力 〜10W |
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負荷コイル
空洞共振器内部変調用 |
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発生変調磁界 〜20Gauss
p-p |
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出力ケーブル
5D2V 1m |
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試料空胴共振器の内部変調コイルに100KHzの磁場変調用磁界を発生させます。 |
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分子分光用矩形波電界発生装置
EＳＧ-1000 |
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出力周波数 100KHz （内臓水晶発振器） |
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外部信号入力レベル
1Vp-pmax |
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出力電圧
0〜+1000V peak |
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出力波形 矩形波 |
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負荷容量 シュタルクセル≒1000PF |
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Tr,Tf
0.5μＳ |
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負荷リーク保護回路付 |
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シュタルクセルに矩形波の高電圧をかけて電界を発生させます。 |
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分子分光用正弦波電界発生装置
EＳＧ-500SG |
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出力周波数
100KHz （内臓水晶発振器） |
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外部信号入力レベル
1Vp-pmax |
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出力電圧
0〜500V p-p |
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出力波形 正弦波 |
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負荷容量
シュタルクセル≒1000PF |
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直流バイアス電圧 0〜+1500V |
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シュタルクセルに正弦波の高電圧をかけて電界を発生させます。 |
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